RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
11.4
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2371
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link