RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2874
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link