RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2874
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link