RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2664
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link