RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
12.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2347
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link