RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2347
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link