RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
96
Около 52% меньшая задержка
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6.8
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.2
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
96
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
6.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
992
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C12 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link