RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2427
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link