Comparação RAM Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Pontuação geral

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 25

Por volta de 8% menor latência

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.6 13.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.9 9.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 10600

Por volta de 1.81 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2096 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns