RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
54
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
54
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2938
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link