A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 10.7

Среднее значение в тестах

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

Причины выбрать
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 46

Около -12% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 41
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 12.7
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 2621

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

модули RAM

Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB

Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB

Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB

модули RAM