RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2298
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link