RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
59
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.5
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
44
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
8.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1660
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link