RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
59
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
44
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1660
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link