RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
59
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
44
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
5.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
1660
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link