RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2648
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905584-037.A00LF 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link