RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
77
Около -250% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3013
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link