RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
67
Около -235% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
20
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
3.6
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
3473
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905316-152.A01LF 2GB
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link