RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
67
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
25
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
3.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
2994
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link