AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

AMD AE34G1601U1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 67
    Около -131% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.8 left arrow 3.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    67 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.8 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    3.6 left arrow 9.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    998 left arrow 2407
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения