RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
50
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3143
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link