RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3143
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link