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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
50
Autour de -72% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3143
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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