RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Kingston 9905599-020.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
67
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
25
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
3.6
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
2515
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link