RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
68
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
68
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link