RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
67
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
35
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
3.6
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
2488
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link