RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
67
Около -191% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
23
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
3.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
3317
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link