AMD AE34G2139U2 4GB против Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G2139U2 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G2139U2 4GB

Сообщить об ошибке

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 56

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 7.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.8 5.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G2139U2 4GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 29
Скорость чтения, Гб/сек

7.4 16.4
Скорость записи, Гб/сек

5.6 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1462 3065

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

модули RAM

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C

Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

модули RAM