AMD AE34G2139U2 4GB против Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G2139U2 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G2139U2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

56 83

Около 33% меньшая задержка

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.3 7.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.8 5.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G2139U2 4GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 83
Скорость чтения, Гб/сек

7.4 14.3
Скорость записи, Гб/сек

5.6 7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1462 1752

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Kingston 9905702-006.A00G 8GB

Kingston 9905702-006.A00G 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Kingston 9905701-004.A00G 16GB

Kingston 9905701-004.A00G 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N

модули RAM

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB

Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM