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AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
83
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
83
读取速度,GB/s
7.4
14.3
写入速度,GB/s
5.6
7.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
1752
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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