RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
AMD AE34G2139U2 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G2139U2 4GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G2139U2 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
56
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
37
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
5.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1462
2808
AMD AE34G2139U2 4GB Сравнения RAM
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link