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AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
56
左右 -51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
37
读取速度,GB/s
7.4
16.0
写入速度,GB/s
5.6
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2808
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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