AMD R5316G1609U2K 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

-->

Средняя оценка

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5316G1609U2K 8GB

Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 73

Около -232% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 6.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 22
Скорость чтения, Гб/сек

6.3 18.5
Скорость записи, Гб/сек

5.2 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1309 3261

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

модули RAM

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

модули RAM