RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
72
87
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
72
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1918
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link