Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,107.0 12.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 58

Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 29
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 15.8
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 2865

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB

V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB

Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston 9905624-051.A00G 8GB

Kingston 9905624-051.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM