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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
72
87
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
72
读取速度,GB/s
3,155.6
14.6
写入速度,GB/s
870.4
8.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1918
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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