RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
73
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
38
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
5.2
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2429
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link