RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
27
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2288
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link