RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
39
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2952
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link