RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
66
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
66
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
4.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
985
1877
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Сравнения RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link