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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

总分
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

总分
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    65 left arrow 66
    左右 2% 更低的延时
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB 需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.9 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 4.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 8500
    左右 2.26 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 66
  • 读取速度，GB/s
    6.1 left arrow 15.9
  • 写入速度，GB/s
    4.2 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    985 left arrow 1877

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较

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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
内存RAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
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内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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