RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
73
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.4
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
71
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.2
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
1650
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link