RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
3726
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link