RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
3726
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link