RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
3726
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link