AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Kingston 9965640-006.A01G 32GB

-->

Средняя оценка

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Средняя оценка

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 34

Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.7 11

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.2 7.5

Среднее значение в тестах

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Причины выбрать
Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 34
Скорость чтения, Гб/сек

14.7 11.0
Скорость записи, Гб/сек

9.2 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2272 2220

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 9905743-023.A00G 8GB

Kingston 9905743-023.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM