RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
3098
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link