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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
14.7
16.1
写入速度,GB/s
9.2
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3098
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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最新比较
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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