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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
3,405.2
16.3
写入速度,GB/s
2,622.0
12.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2809
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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