AMD R538G1601U2S-UO 8GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

-->

Средняя оценка

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Причины выбрать
AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 33

Около 21% меньшая задержка

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.3 14.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 10.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 33
Скорость чтения, Гб/сек

14.2 16.3
Скорость записи, Гб/сек

10.0 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2634 2918

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

модули RAM