RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Inmos + 256MB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB против Inmos + 256MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R538G1601U2S-UO 8GB Причины выбрать
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 30
    Около 13% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.2 left arrow 11.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.0 left arrow 9.1
    Среднее значение в тестах
Inmos + 256MB Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    16800 left arrow 12800
    Около 1.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.2 left arrow 11.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.0 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 16800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2634 left arrow 2318

AMD R538G1601U2S-UO 8GB Сравнения RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

Inmos + 256MB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
модули RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
модули RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
модули RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
модули RAM