AMD R5S38G1601U2S 8GB против Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Средняя оценка

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Причины выбрать
AMD R5S38G1601U2S 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.4 14.9

Среднее значение в тестах

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 37

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.1 9.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 34
Скорость чтения, Гб/сек

15.4 14.9
Скорость записи, Гб/сек

9.2 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2581 2780

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

модули RAM